Update Disturbance-Resilient Analog ReRAM Crossbar Arrays for In-Memory Deep Learning Accelerators
研究针对ReRAM交叉阵列在并行权重更新时的干扰问题，提出了一种基于铪氧化物层中导电细丝的ReRAM设备解决方案，实现了快速、非易失性切换和抗干扰能力。
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Update Disturbance-Resilient Analog ReRAM Crossbar Arrays for In-Memory Deep Learning Accelerators
研究针对ReRAM交叉阵列在并行权重更新时的干扰问题，提出了一种基于铪氧化物层中导电细丝的ReRAM设备解决方案，实现了快速、非易失性切换和抗干扰能力。
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